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Si7530DP
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
V GS = 10 V thru 5 V
30
25
20
15
10
4V
25
20
15
10
5
3V
5
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.12
0.10
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1800
1500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
900
600
300
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
16
V DS = 30 V
I D = 5 A
2.0
1.8
V GS = 10 V
I D = 5 A
1.6
12
1.4
1.2
8
1.0
4
0
0.8
0.6
0 .4
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
www.vishay.com
6
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73249
S09-0223-Rev. D, 09-Feb-09
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